Sonder directement la longueur de transfert de porteurs dans des transistors en matériau 2D

Nature, Mise en ligne : 01 juillet 2026 ; doi:10.1038/s41586-026-10707-0La microscopie à effet tunnel à balayage transversal montre une longueur de transfert de porteur de 2 nm dans des transistors MoS2 monocouches contactés par le bismuth, définissant les limites d'échelle des contacts métalliques pour les dispositifs électroniques 2D inférieurs à 10 nm.